TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123 (BZT52B6V8-G RHG)
Part Number: BZT52B6V8-G RHG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 6.8V
- Допуск: ±2%
- Мощность: 410mW
- Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 2µA @ 4V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 900mV @ 10mA
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOD-123
- Исполнение корпуса: SOD-123
Цена по запросу